Halbleiterelektronik-Formelsammlung

Neben der Physik-Formelsammlung habe ich während dem Studium auch eine Sammlung vieler wichtiger Formeln in der Halbleiterelektronik geschrieben, die mich gut durch die Klausur brachte ;-).

Sie beinhaltet alles rund um die Ersatzschaltbilder von Bipolar- und FET-Transistoren sowie deren Grundschaltungen. Die eingebundenen Ersatzschaltbilder und Stromlaufpläne stammen aus dem Vorlesungsskript von Herrn Prof. Dipl.-Phys. Forster (Hochschule Ulm), der sie mir für die Formelsammlung freundlicherweise zur Verfügung gestellt hat.

Wie immer erhebe ich keinen Anspruch auf Vollständigkeit und Korrektheit. Wer Fehler findet oder Ergänzungen beisteuern will, kann sich gerne an mich wenden.

Wichtige Grundformeln sind durch einen dickeren linken Rand der Tabellen hervorgehoben. Die Seitenzahlen am Rand helfen nur, wenn man das Vorlesungsskript vom Frühjahr 2011 hat.

Inhalt

1. Halbleiterdioden
   1. Großsignalmodell
      1. Diodenkennlinie
      2. Temperaturabhängigkeit Diodenkennlinie
      3. Dioden-Durchbruch
      4. Speicherzeit pn-Diode
   2. Kleinsignalmodell
   3. Diodentypen & Anwendungen
      1. Z-Diode
      2. Gleichrichter
      3. Fotodiode
2. Bipolar-Transistor
   1. Ebers-Moll-Modell
      1. Aktiver Vorwärtsbetrieb
   2. Kleinsignalmodell Bipolartransistor
      1. Kleinsignal-Stromverstärkung
      2. Kollektor-Basis-Rückwirkungswiderstand
   3. Bipolartransistor als Schalter
3. Feldeffekt-Transistoren
   1. Gleichstrommodell MOSFETs
      1. Stromloser Zustand
      2. Linearer Bereich (Triodenbereich)
      3. Abschnürbereich (Sättigungsbereich)
      4. Vereinfachtes Modell für Handanalyse
   2. Kleinsignalmodell MOSFETs
   3. MOSFET als Schalter
4. Elementare Verstärkerschaltungen
   1. Grundschaltungen mit Bipolartransistoren
      1. Emitterschaltung
      2. Emitterschaltung mit Wechselstrom-Gegenkopplung
      3. Basisschaltung
      4. Kollektorschaltung
   2. Grundschaltung mit FETs
      1. Source-Schaltung
      2. Gate-Schaltung
      3. Drain-Schaltung
   3. Arbeitspunktstabilisierung
      1. Arbeitspunkteinstellung
   4. RC-gekoppelte Verstärker
5. Aktive Zwei-Transistor-Schaltungen
   1. Darlington-Schaltung
      1. Verbund-Darlington-Schaltung
   2. Kaskode-Schaltung
   3. IGBT

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Datei:Halbleiter-Formelsammlung.pdf (Stand: 27.06.2011)